Insulating SiO2 under Centimeter-Scale, Single-Crystal Graphene Enables Electronic-Device Fabrication
论文编号:
第一作者:
Guo, Hui
刊物名称:
NANO LETTERS
所属学科:
论文题目:
Insulating SiO2 under Centimeter-Scale, Single-Crystal Graphene Enables Electronic-Device Fabrication
发表年度:
2020
卷:
期:
页:
联系作者:
收录类别:
影响因子:
参与作者:
备注: